12月17日，半導體制造商羅姆（ROHM）開發出表面貼裝SiC肖特基勢壘二極管（SBD），可通過增加端子之間的爬電距離來提高絕緣電阻。初始產品系列包括用于車載充電器（OBC）等汽車應用的八種型號- SCS2xxxNHR，并計劃于2024年12月為FA設備和PV逆變器等工業設備部署八種型號-SCS2xxxN。

圖片來源：羅姆

快速擴張的xEV市場推動了對功率半導體的需求，其中包括SiC SBD，它們在車載充電器等應用中提供低發熱量、高速開關和高壓功能。此外，制造商們越來越依賴與自動裝配設備兼容的緊湊型表面貼裝器件（SMD）來提高制造效率。緊湊型SMD通常具有較小的爬電距離，這使得高壓跟蹤預防成為一項關鍵的設計挑戰。

作為領先的SiC供應商，羅姆一直致力于開發高性能SiC SBD，提供適用于高壓應用的擊穿電壓，且易于安裝。采用優化的封裝，新SiC SBD系列實現了5.1mm的最小爬電距離，與標準產品相比，提高了絕緣性能。

此外，新產品還采用原創設計，移除了之前位于封裝底部的中心引腳，將爬電距離延長至最小5.1mm，約為標準產品的1.3倍。這最大限度地降低了端子之間產生漏電（爬電放電）的可能性，在高壓應用中將器件表面貼裝到電路板上時，無需通過樹脂灌封進行絕緣處理。此外，這些器件可以安裝在與標準和傳統TO-263封裝產品相同的焊盤圖案上，從而可以輕松在現有電路板上進行替換。

提供兩種額定電壓，分別為650V和1200V，支持xEV中常用的400V系統以及未來有望得到廣泛采用的更高電壓系統。車規級SCS2xxxNHR符合AEC-Q101標準，確保滿足該應用領域要求的高可靠性標準。